وەسف
ترانزستور من النوع NPN ثنائي القطبية (BJT) متاح في عبوة TO-92 القياسية، يتميز بقدرته العالية على تحمل فروق الجهد المرتفعة التي تصل إلى 160V وتيارات منخفضة إلى متوسطة. يعتبر المكمل المثالي لترانزستور 2N5401 (PNP)، ويستخدم بكثرة في دوائر تكبير الإشارة الصوتية، ومراحل قيادة الطاقة، وتنظيم الجهود المرتفعة في الدوائر التعليمية والصناعية.
A high-voltage NPN bipolar junction transistor (BJT) housed in a TO-92 package, engineered to withstand collector-emitter voltages up to 160V. Serving as the ideal complementary counterpart to the 2N5401 (PNP) transistor, it is widely utilized in audio amplifier stages, high-voltage switching, and gas-discharge display driver circuits.
المميزات:
-
النوع: NPN ثنائي القطبية (BJT).
-
العبوة القياسية: TO-92.
-
تيار المجمع الأقصى (Collector Current): يبلغ 0.6A (600mA).
-
جهد المجمع-الباعث الأقصى (Vceo): يصل إلى 160V (جهد عالي).
-
الاستخدام الرئيسي: تكبير الصوت وتطبيقات التبديل ذات الجهد المرتفع كمكمل للترانزستور 2N5401.